西部数据推96层3D NAND UFS 2.1嵌入式闪存盘
信息来源: http://www.emcmy.com 时间:2018/10/16 10:39:22
西部数据正式推出96层3D NAND UFS2.1嵌入式闪存盘(EFD)-西部数据iNAND MC EU321,旨在加速实现人工智能(AI)、增强现实(AR)、支持多个摄像头的高分辨率摄影、4K视频采集以及其他面向高端手机及计算设备的高要求应用。
新款西部数据iNAND MC EU321嵌入式闪存盘采用了西部数据公司的96层3D NAND技术、先进的UFS 2.1接口技术及西部数据公司的iNAND SmartSLC 5.1架构,能够为智能手机、平板电脑和PC笔记本电脑设备提供卓越的数据性能,而且即使设备接近满负荷运行,也能实现出色的移动体验。
随着移动端数据量增加,以及对平衡了功耗和体积因素的性能需求增加,嵌入式闪存盘的性能、数量和容量需求不断快速增长。更多的96层3D TLC结构,可以在原有的面积上提供最大256GB的存储容量,用单芯片满足市场主流甚至更高的需求。
分析机构Counterpoint Research指出,NAND闪存容量将在2017-2021迎来健康的28%复合年增长率。这个增长主要来自成熟的平板用户升级到大屏、高容量、并具有更强大功能和连接性的产品,因为娱乐和移动生产力讲成为主要的应用场景。
这些数据密集型的应用程序都需要更高的容量和速度,以期为消费者提供理想的移动设备体验。2018年自然年上半年,智能手机总出货的内置存储容量相比起2017自然年上半年同比增加了40%,相当于每台手机51GB ,从而增加了对更高容量和更智能存储技术的需求。
铁粉芯 8材 HST50-8B
高偏流的情况下,磁芯损耗最低,兼且线性良好,是最好的高频材,也是最贵的材料OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)0.500/12.7 0.303/7.7 0.250/6.35Al: 23 nH ±10%
铁粉芯 HST131-52 52材…
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10% 初…
26材 HST157-26
26材最为通行的材料,是一种成本效益最高的一般用途材料,适合功率转换和线路滤波等各种广泛用途. OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)2.000/50.8 1.250/31.8 1.000/25.4Al:…
铁粉芯 HST131-52
52材在高频率下磁芯损耗较低,而磁导率与材料-26相同,在新型的高频抗流器上应用广泛.OD(in/mm) ID(in/mm) HT(in/mm)1.300/33.0 0.640/16.3 0.437/11.1Al: 108 nH ±10%